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ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10
型號:ASE60N10
品牌:ASEMI
封裝:TO-263
漏源電流:60A
漏源擊穿電壓:100V
RDS(ON)Max:17Ω
引腳數量:3
芯片個數:
溝道類型:N溝道MOS管、中低壓MOS管
漏電流:ua
特性:N溝道MOS管、場效應管
工作溫度:-55℃~175℃
備受歡迎的ASE60N10 MOS管
ASEMI品牌ASE60N10是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩定性及抗沖擊能力,能夠持續保證了ASE60N10的漏源電流60A,漏源擊穿電壓100V.
?細節體現差距
ASE60N10,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產品穩定性高,抗沖擊能力強。
ASE60N10具體參數為:漏源電流:60A,漏源擊穿電壓:100V,反向恢復時間: ns,封裝:TO-263